半導體檢測主要是對工藝過程中半導體體內、表面和附加其上的介質膜、金屬膜、多晶硅等結構的特性進行物理、化學和電學等性質的測定。按照所測定的特性，這一類檢測可分為四個方面。

       （1）幾何尺寸與表面形貌的檢測：如晶片、外延層、介質膜、金屬膜以及多晶硅膜等的厚度,雜質擴散層和離子注入層以及腐蝕溝槽等的深度，晶體管的基區寬度，晶片的直徑、平整度、光潔度、表面污染、傷痕等，刻蝕圖形的線條長、寬、直徑間距、套刻精度、分辨率以及陡直、平滑等。

       （2）半導體檢測關于成分結構分析：如襯底、外延層、擴散層和離子注入層的摻雜濃度及其縱向和平面的分布、原始晶片中缺陷的形態、密度和分布，單晶硅中的氧、碳以及各種重金屬的含量，在經過各種工藝步驟前后半導體內的缺陷和雜質的分布演變，介質膜的基本成分、含雜量和分布、致密度、針孔密度和分布、金屬膜的成分，各步工藝前后的表面吸附和沾污等。

       （3）電學特性：如襯底材料的導電類型、電阻率、少數載流子壽命、擴散或離子注入層的導電類型與薄層電阻、介質層的擊穿電壓、氧化層中的電荷和界面態、金屬膜的薄層電阻、通過氧化層臺階的金屬條電阻、金屬—氧化物—半導體晶體管特性等。

       （4）半導體檢測關于裝配和封裝的工藝檢測：如鍵合強度和密封性能及其失效率等。